檢索結果：共18筆資料 檢索策略： "SiC".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="碳化矽"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…
2
3
4
本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型，即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式，對熱壁式水…
5
6
摘要 本研究在MgYZn合金(Mg97Y2Zn1)內分別添加5 wt%及10 wt%的碳化矽(SiC)粉末使用兩階段鑄造方法製備鎂基複合材料，探討其顯微結構、機械性質及腐蝕行為。 研究結果顯示MgY…
7
本文主要在研製以數位控制實現之交錯式圖騰柱無橋功率因數修正器。數位控制器採用平均電流控制法設計電壓迴圈與電流迴圈，並在電壓迴圈中加入非線性控制以改善輸出暫態響應。並解決輸入電壓於零交越點緩啟動時由於…
8
本研究之內容為針對高壓電纜的五分割導體，進行模具開發及電纜之試生產，主要利用壓縮率法，以不同的壓縮率進行壓輪模具的設計，生產測試的方式則使用試誤法。共進行三次的試生產，第一次試生產只進行18 B (…
9
10
一間企業所申請的專利可以忠實的表現出一間企業的技術發展，同樣的道理，觀察一個國家專利文獻的申請狀況也可以表現出一個國家的技術發展。若是重要國家，所有申請人都會想在該國申請專利，則該國家的專利文獻更可…